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广东星河微电子有限公司
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产品信息
ESD5451X型
单线、双向、瞬态电压抑制器
描述
TVS双向电压D51x
抑制器）。它是专为保护敏感而设计的
连接到低速的电子元件
由ESD控制线路引起的压力
（静电放电），EFT（电快速瞬变）
还有闪电。
ESD5451X可用于提供高达
±30kV（接触和空气放电）根据
IEC61000-4-2，可承受高达8A的峰值脉冲电流
（8/20μs）根据IEC61000-4-5。
ESD5451X采用FBP-02C包装。标准
产品无铅无卤。
特征
反向隔离电压：±5V大值
每条线路的瞬态保护根据
IEC61000-4-2（ESD）：±30kV（接触放电和空气放电）
IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
IEC61000-4-5（浪涌）：8A（8/20μs）
电容：CJ=17.5pF典型值。
低泄漏电流：IR<1nA典型值。
低箝位电压：VCL=9V典型值。@IPP=16A（TLP）
固态硅技术
应用
手机
片剂
笔记本电脑
其他便携式设备
网络通信设备
单线、双向、瞬态电压抑制器
描述
TVS双向电压D51x
抑制器）。它是专为保护敏感而设计的
连接到低速的电子元件
由ESD控制线路引起的压力
（静电放电），EFT（电快速瞬变）
还有闪电。
ESD5451X可用于提供高达
±30kV（接触和空气放电）根据
IEC61000-4-2，可承受高达8A的峰值脉冲电流
（8/20μs）根据IEC61000-4-5。
ESD5451X采用FBP-02C包装。标准
产品无铅无卤。
特征
反向隔离电压：±5V大值
每条线路的瞬态保护根据
IEC61000-4-2（ESD）：±30kV（接触放电和空气放电）
IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
IEC61000-4-5（浪涌）：8A（8/20μs）
电容：CJ=17.5pF典型值。
低泄漏电流：IR<1nA典型值。
低箝位电压：VCL=9V典型值。@IPP=16A（TLP）
固态硅技术
应用
手机
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笔记本电脑
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