广东星河微电子有限公司

2SK209-GR 品牌:TOSHIBA东芝 封装:SOT-23 批号:2020年 一盘3000个

东芝场效应晶体管硅N沟道结型


2SK209型


音频低噪声放大器的应用


•高| Yfs |：| Yfs |=15 mS（典型值），VDS=10 V，VGS=0


•高击穿电压：VGDS=−50 V


•低噪声：NF=1.0dB（典型值）


在VDS=10 V，ID=0.5 mA，f=1 kHz，RG=1 kΩ时


•高输入阻抗：IGSS=−1 nA（大值），VGS=−30 V


•小包装


大额定值（Ta=25°C）


特性符号额定单位


栅极漏极电压VGDS−50 V


栅极电流IG 10 mA


排水功耗PD 150 mW


结温Tj 125°C


储存温度范围Tstg−55~125°C


注：在重载下连续使用（例如


高温/电流/电压以及


温度等）可能导致本产品的


即使在工作条件下（即。


工作温度/电流/电压等）在


大额定值。


请在审查


东芝半导体可靠性手册（“处理


注意事项“/“降额概念和方法”）和个人


可靠性数据（即可靠性试验和预计故障


费率等）。