- 非IC关键词
深圳市星河微电子有限公司
- 卖家积分：
营业执照：已审核经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东 深圳企业网站：
http://www.cnxhm.cn
收藏本公司 人气：589687
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：
- 会员年限：14年
- 张汉斌
- 电话：0755-82531233
- 手机：13544236333
- 阿库IM：
- 地址：广东省深圳市福田区华强北中航路国利大厦2817室
- 传真：0755-82535899
- E-mail：3008047508@b.qq.com
询价相关产品
产品信息
BFU550XR 射频NPN宽带硅RF晶体二极管 NXP品牌 封装SOT143 批号：2020年 一盘3000个
2 GHz 射频宽带晶体管
我们的宽带晶体管根据跃迁频率和噪声/增益性能分类，提供一系列封装、工艺和规格选择。该系列现已推出第 7 代产品，提供 500 MHz 至 < 2 GHz 工作频率，因此特别适合通信、汽车和工业设备等应用。
特性：
- 极高增益
- 丰富的产品组合
- 低噪声
- 低电流消耗
- 封装
- 更方便的散热 - 通过散热铅
- 广泛的封装选择
目标应用：
- 移动电话 ODM/CEM 设计
- 无绳电话
- 胎压监测系统
- 调谐器
- GPS接收器；卫星LNB、机顶盒、多开关盒
1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143R package. The BFU550XR is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and benefits Low noise, high breakdown RF transistor AEC-Q101 qualified Minimum noise figure (NFmin) = 0.7 dB at 900 MHz Maximum stable gain 21.5 dB at 900 MHz 11 GHz fT silicon technology 1.3 Applications Applications requiring high supply voltages and high breakdown voltages Broadband amplifiers up to 2 GHz Low noise amplifiers for ISM applications ISM band oscillators 1.4 Quick reference data BFU550XR NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 — 14 March 2014 Product data sheet Table 1. Quick reference data Tamb = 25 C unless otherwise specified Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VCB collector-base voltage open emitter - - 24 V VCE collector-emitter voltage open base - - 12 V shorted base - - 24 V VEB emitter-base voltage open collector - - 2 V IC collector current - 15 50 mA Ptot total power dissipation Tsp 87 C [1] - - 450 mW hFE DC current gain IC = 15 mA; VCE =8V 60 95 200 Cc collector capacitance VCB = 8 V; f = 1 MHz - 0.41 - pF fT transition frequency IC = 25 mA; VCE = 8 V; f = 900 MHz - 11 - GHz