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肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）    它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100gHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。    可作为续流二极管，在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。

1. TVS管使用时一般并联在被保护电路上。为了限制流过TVS管的电流不超过管子允许通过的峰值电流IPP，应在线路串联加限流元件，如电阻、自恢复保险丝、电感等。

2. 击穿电压VBR的选择：TVS管的击穿电压应根据线路工作电压US按公式：VBRmin≥1.2US 或 VRWM≥1.1US选择。

3. 脉冲峰值电流IPP的选择：当TVS管单独使用时，要根据线路上可能出现的浪涌电流来选择合适的型号。当TVS管在放电管后作为第二级保护时，一般用500W～600W的就可以了。

4. 用于信号传输电路保护时，一定要注意所传输信号的频率或传输速率。当信号频率或传输速率较高时,应选用低电容系列的管子：信号频率（传输速率）≥10MHz（Mb/s），Cj≤60pF； 信号频率（传输速率）≥100 MHz（Mb/s），Cj≤20pF。当低电容系列仍满足不了要求时，就应把TVS管串联到高速二极管组成的桥路中