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TVS二极管电压－电流特性①VBR：TVS二极管击穿电压。也就是在流过规定电流(IR )时，加于TVS两极的击穿电压；②VRMW：正常工作时候可承受的电压。这个电压在实际应用当中应大于或等于被保护电路的正常工作电压；③IPP：峰值脉冲电流。处于反向状态时， 允许通过的脉冲峰值电流；④VC：箝位电压。处于峰值时候，两端出现的电压值称为箝位电压

肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）    它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100gHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。    可作为续流二极管，在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。