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江崎二极管（Tunnel Diode）    它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比IP/PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。

瞬态抑制二极管的反应速度快，用与消除干扰的脉冲尖峰；压敏电阻，其特点是当加在它上面的电压低于它的阀值"UN"时，流过它的电流极小，相当于一只关死的阀门，当电压超过UN时，流过它的电流激增，相当于阀门打开。利用这一功能，可以抑制电路中经常出现的异常过电压，保护电路免受过电压的损害；稳压二极管反向电压到一定程度就会击穿，是的电压稳定不变，用于稳压瞬间抑制二极管(T.V.S )和稳压二极管(等於 ZENER=齐纳二极管) 都是电压保护元器用T.V.S适用於瞬间 偶发生的超高压 大电流保护  例如 雷击防护用  手机 通讯器材而ZENER DIODE是应用於较低电压 小电流的保护用 例如电闸开关  电源转换器。