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张汉斌 
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江崎二极管（Tunnel Diode） 它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比IP/PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。
在直流方面，TVS二极管单向即可，TVS与输出负载并联，负载可以是直流电源或者其他输出系统，需要注意的是TVS管的反向工作电压至少大于1.2倍电路输入电压，这样电路才较为可靠。
TVS二极管在直流方面应用的更广泛，特别是ESD防护，便携式设备对于ESD很敏感，利用TVS二极管超快速特点，可有效吸收脉冲。
TVS二极管在直流应用的还有很多，例如晶体管保护、集成电路保护、各种负载输出等
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