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江崎二极管（Tunnel Diode）    它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比IP/PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。

1. TVS管和压敏电阻不象开关元件那样具有开关特性，而是类似稳压二极管那样具有稳压特性。

2. 压敏电阻能承受更大的浪涌电流，而且其体积越大所能承受的浪涌电流越大，可达几十kA到上百kA，但压敏电阻的非线性特性较差，大电流时限制电压较高，低电压时漏电流较大。