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张汉斌 
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江崎二极管（Tunnel Diode） 它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比IP/PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。
不同的地方就是
1.TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦
2.在极短的时间内可达到1×10-12秒迅速转入反向导通状态，雷击等干扰过后，又迅速截止
3.单向TVS用直流电路，双向TVS用交流电路中。
4.稳压管没有上述几项。
TVS管不能做稳压管用，电压不稳，如楼上所说是起保护作用的
TVS主要是能免受各种浪涌脉冲的损坏。响应时间快、瞬态功率大、漏电流低等优点
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