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深圳市星河微电子有限公司
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产品信息
TVS二极管与MLV：多层金属氧化物结构器件(MLV)也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制，此类器件具有非线性电压-电流(阻抗表现)关系，截止电压可达初中止电压的2～3 倍，这种特性适合用于对电压不太敏感的线路和器件的保护，如电源回路。而TVS瞬态抑制二极管具有更好的电压截止因子，同时还具有较低的电容，这一点对于手持设备的高频端口非常重要，因为过高的电容会影响数据传输，造成失真或是降级。
TVS瞬态抑制二极管的各种表面封装均适合流水线装配的要求，而且芯片结构便于集成其它的功能，如EMI 和RFI过滤保护等，可有效降低器件成本，优化整体设计。