TVS二极管与MLV:多层金属氧化物结构器件(MLV)也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制,此类器件具有非线性电压-电流(阻抗表现)关系,截止电压可达初中止电压的2~3 倍,这种特性适合用于对电压不太敏感的线路和器件的保护,如电源回路。而TVS瞬态抑制二极管具有更好的电压截止因子,同时还具有较低的电容,这一点对于手持设备的高频端口非常重要,因为过高的电容会影响数据传输,造成失真或是降级。
TVS瞬态抑制二极管的各种表面封装均适合流水线装配的要求,而且芯片结构便于集成其它的功能,如EMI 和RFI过滤保护等,可有效降低器件成本,优化整体设计。