制造商编号:BFR93A
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 70
集电极—发射极电压 VCEO: 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2 V
集电极连续电流: 50 mA
工作温度: - 65 C
工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
集电极—基极电压 VCBO: 20 V
直流电流增益 hFE 值: 70 at 30 mA at 8 V
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
工作频率: 6000 MHz
类型: RF Bipolar Small Signal
宽度: 1.3 mm
商标: Infineon Technologies
增益带宽产品fT: 6 GHz
直流电集电极电流: 0.09 A
Pd-功率耗散: 300 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
子类别: Transistors
单位重量: 1.438 g