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广东星河微电子有限公司
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产品信息
制造商编号：NTS4101PT1G
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
封装 / 箱体: SOT-323-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 1.37 A
Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 2.5 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV
Qg-栅极电荷: 6.4 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 329 mW
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
宽度: 1.24 mm
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 值: 5.2 S
下降时间: 18 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 14.9 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 6.2 ns
单位重量: 5 mg