广东星河微电子有限公司

制造商编号： NTJS4151PT1G

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SC-88-6

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 3.3 A

Rds On-漏源导通电阻: 205 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压: - 1.2 V

Qg-栅极电荷: 10 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.9 mm  

长度: 2 mm  

一、稳压特性：1、所加的反向电压小于击穿电压时，稳压管有极大的内阻；2、超过反向击穿电压时，电流急剧增大，电流能在很大范围内变化，但管子两端的电压基本不变。3、正向部分与普通二极管相同