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平面型二极管

在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。

1. MAXIMUN CLAMPING VOLTAGE: 箝位电压VC要小于电路允许的安全电压。

2. REVERSE STAND-OFF VOLTAGE:截止电压VRWM大于电路的工作电压，一般可以选择VRWM等于或者略大于电路的工作电压。

3. PEAK PULSE POWER:额定的脉冲功率（TVS参数中给出） PM要大于瞬态浪涌功率。