电子在基区的扩散与复合。
从发射区发射到基区的电子到达基区后,由于靠近发射结附近的电子浓度高于靠近集电结附近的电子浓度,所以这些电子会向集电结附近继续扩散。在扩散过程中,有小部分电子会与基区的空穴复合,由于电源EB的正极与基极相接,这些复合掉的空穴均可由EB补充,因而形成了基极电流IB。因基区做得很薄,电子在扩散过程中通过基区的时间很短,加上基区的空穴浓度很低,所以从发射区发射到基区的电子在基区继续向集电结附近扩散的过程中,与基区空穴复合的机会很少,因而基极电流IB很小,大部分电子都能通过基区而达到集电结附近。