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张汉斌 
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集电区收集电子从而形成集电极电流IC 。
由于集电结处于反向偏置，有利于少数载流子的漂移运动。从发射区发射到基区的电子，一旦到达基区后，就成了基区少数载流子，因而这些扩散到集电结附近的电子很容易被集电区收集而形成集电极电流IC。
从以上分析可知，从发射区发射到基区的电子中，只有很小部分与基区的电子复合而形成基极电流IB，绝大部分能通过基区并被集电区收集而形成集电极电流IC，如图6-2所示。因此，集电极电流IC就会比基极电流IB大得多，这就是晶体管的电流放大作用。如前所述，晶体管的基区之所以做得很薄，并且掺杂浓度远低于发射区，就是为了使集电极电流比基极电流大得多，从而实现晶体管的电流放大作用。
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