深圳市星河微电子有限公司

14年

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供应场效应管SI3865BDV-T1-E3
供应场效应管SI3865BDV-T1-E3
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供应场效应管SI3865BDV-T1-E3

型号/规格:

SI3865BDV-T1-E3

品牌/商标:

NXP(恩智浦)

环保类别:

无铅环保型

型号:

SI3865BDV-T1-E3

厂家:

FAIRCHILD

封装:

SOT163

批号:

06+

产品信息

结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例),N沟道结构型场效应管的结构及符号,由于PN结中的载流子已经耗尽,故PN基本上是不导电的,形成了所谓耗尽区,当漏极电源电压ED一定时,如果栅极电压越负,PN结交界面所形成的耗尽区就越厚,则漏、源极之间导电的沟道越窄,漏极电流ID就愈小;反之,如果栅极电压没有那么负,则沟道变宽,ID变大,所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化,就是说,场效应管是电压控制元件。