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张汉斌 
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肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode，SBD)，简称肖特基二极管，是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
肖特基二极管是“金属半导体结”二极管，其金属层材料可以采用铝、金、钼、镍、钛等，半导体材料采用硅或砷化镓;多为N型半导体。肖特基二极管是以金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用两者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属一半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，而金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
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